【摘 要】
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研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法、工艺及封装方法等．并分别测试了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性，分析表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频微波器件
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研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法、工艺及封装方法等．并分别测试了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性，分析表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频微波器件，正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件．
The preparation method, process and encapsulation method of inverted pyramid filled cone tip and forward etched silicon tip were studied. The electron emission characteristics of these two kinds of field emission cone arrays were tested respectively. The results show that the inverted pyramid filled cone tip is suitable for preparing high frequency microwave devices. The forward etched silicon tip is suitable for preparing high speed switching devices.
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