直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO2薄膜的光电特性

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通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(xPs)仪、紫外.可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo^6+和Mo^5+两种价态存在:随着Mo掺杂量的增加,Mo—TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移:薄膜的禁带宽度
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