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当硅基发光材料得到广泛应用时，为了给硅基材料的设计及应用提供理论依据，利用基于密度泛函理论的第一性原理，对Er掺杂在Si纳米晶粒不同位置的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究。结果表明：Er掺杂在Si纳米晶粒的中心位置时，结构最稳定；Er掺杂后的Si纳米晶粒引入了杂质能级，最终导致禁带宽度变窄；掺杂后的Si纳米晶粒在低能区出现了一个新的吸收峰，当Er原子向表面位置移动时，新的吸收峰峰值逐渐减小，甚至消失。