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随着微电子技术的进步，超大规模集成电路（VLSI）的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点，因此为制造和设计都带来了很多难题，诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等，为了保证设计的进度和质量，就必须针对这些特点进行深入分析，并建立全新的分析设计方法和手段。