异质CMOS的研发正在进行

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lcm2005
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研究小组正对异质半导体的研究做出不断的努力,采用外延技术淀积比单晶硅材料迁移率更高的材料,并将其作为扩展CMOS技术的一种方法。异质器件可以在硅晶圆上制作,举例来说,可以在pFET中使用锗,在nFET中使用包括GaAs、InGaAs或InSb在内的Ⅲ-V族材料。 The team is working hard on the research of heterogeneous semiconductors, using epitaxial techniques to deposit materials with higher mobility than single-crystal silicon as a way to extend CMOS technology. Heterogeneous devices can be fabricated on silicon wafers. For example, germanium can be used in pFETs and group III-V materials including GaAs, InGaAs or InSb can be used in nFETs.
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