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氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体.
用双光束激发改进纳米Si3N4激光合成工艺
【摘 要】
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氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,中国科学院安徽光学精密机械研究所
【出 处】
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光电子技术与信息
【发表日期】
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2003年3期
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