无杂质空位扩散法造成InGaAsP／InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

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【摘要】

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采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQws)结构的带隙蓝移.实验中Si3N

【作者】

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张晓丹赵杰王永晨金鹏

【机构】

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天津师范大学物理与电子信息学院,南开大学物理系

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

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无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件 impurity free vacancy disorder

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQws)结构的带隙蓝移.实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA).实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关.带隙蓝移随退火温度的升高而加大.InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层.而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaA

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