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利用射频等离子体辅助的分子束外延（P-MBE）技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量（0≤x≤0．28）的六方相MgZnO合金薄膜，研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系，为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层，制备了MgZnO／ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下，观测到了发光强度随激发密度的超线性增加，并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。