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本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性。以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例，研究了器件几何构造和结构对其品质因数的影响。同时提出了对超结效应的全新电场理论阐释，
低压超结技术
【摘 要】
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本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性。以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例，研究了器件几何构造和结构对其品质因数的影响。同时提出了对超结
【机 构】
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VishaySiliconix公司
【出 处】
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中国电子商情：基础电子
【发表日期】
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2011年1期
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