Experimental Study on Plasma Temperature of Semiconductor Bridge

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【摘要】

：

The plasma temperature of the semiconductor bridge (SCB) was measured in real-time according to relative intensity ratio of dual lines of atomic emission spectr

【作者】

：

吴蓉朱顺官张琳李燕冯红艳

【机构】

：

DepartmentofChemistryandMaterialScience,SchoolofChemicalEngineering,SchoolofChemistryandMaterialScie

【出处】

：

兵工学报：英文版

【发表日期】

：

2012年1期

【关键词】

：

plasma physics semiconductor bridge plasma temperature atomic emission spectrome

【基金项目】

：

Sponsored by the Anhui Province Colleges Young Talents Fund （2011SQRL121）.

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The plasma temperature of the semiconductor bridge (SCB) was measured in real-time according to relative intensity ratio of dual lines of atomic emission spectrum.The plasma temperature under different discharge pulses and the influence of discharge pulse

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