合成ZnO纳米阵列及刺突状CuO/ZnO异质结

来源 :物理化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shifter_2009
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采用低温水热法在掺氟SnO2(FTO)导电玻璃表面制备ZnO纳米阵列,研究了前驱体溶液浓度摩尔配比对ZnO纳米阵列形貌、光学性能及其生长机理的影响.研究发现,随着前驱体溶液浓度摩尔配比的增加, ZnO纳米阵列形貌及光学性能也随之变化. ZnO纳米阵列高度逐渐降低, ZnO纳米阵列直径和光学带隙值大体上出现先增大后降低的趋势.而当前驱体溶液(Zn(NO3)2:环六亚甲基四胺(HMT, C6H12N4))浓度摩尔配比为5:5时,其光学禁带值(3.2 eV)接近于理论值.结果显示制备ZnO纳米阵列的最优浓度摩尔配比为5:5.随后选用最优浓度摩尔配比下制备的ZnO纳米阵列为基底,通过一种两步溶液法成功在其表面制备刺突状CuO/ZnO异质结.从场发射扫描电镜(FE-SEM)结果中可以清楚看见,大量的CuO纳米粒子沉积在ZnO纳米阵列表面形成刺突状异质结结构.研究发现该CuO/ZnO纳米异质结相对于纯ZnO纳米阵列在紫外光下光催化性能明显增加.最后,讨论了CuO/ZnO纳米异质结光催化机理.
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