气压对磁控溅身硅钼薄膜结构及内应力的影响

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因为金属硅化物具有低电阻以及高温稳定性,且可直接在多晶硅上沉积,当电阻减小时又能保持住基本的MOS电路多晶硅栅,所以在集成电路方面受到人们的高度重视[1].由于在大规模集成电路(LSI)制作过程中要经受1000℃以上的高温处理,从而要求金属硅化物耐高温,而MoSi2是难熔金属硅化物的典型代表,具有高熔点、抗高温氧化性、低热膨胀系数及良好的电热传导性,因此在各种工业领域中得到广泛应用.国内对MoSi2块体材料已经作了较为系统的研究,但对MoSi2薄膜的研究报道却较少.因此本文利用磁控溅射技术,研究了在不同的溅射气压下MoSi2薄膜表面形貌、结构及内应力的变化,探讨了气压影响表面形貌、结构及内应力的作用机制.
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