【摘 要】
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采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te（111）衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体（PbTe）的外延生长.原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形
【机 构】
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浙江大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所
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采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te（111）衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体（PbTe）的外延生长.原子力显微镜（AFM）的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜（HRTEM）观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要
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