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采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷（PZN－PMS－PZT－r MnO2)。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响，即室温介电常数ε、介电损耗tanδ，居里温度Tc，机电耦合系统kp，压电常数d33和机械品质因数Qm。随着Mn含量的增加，δ和tanδ均减小；由于内偏置场的影响,居里温度Tc随锰含量的增加而增加。kp和d33随Mn含量的增加而减小；而Qm表现出较复杂的变化规律，随Mn含量的增加Qm先增加，当r=0.2％时，达到最大值1000，当r>0.2%时，Qm下降