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通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证了模型结果.
双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型
【摘 要】
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通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSI
【机 构】
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北京大学微电子学研究院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年8期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划（批准号：2006CB302705）和国家自然科学基金（批准号：60606013）资助项目
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