【摘 要】
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MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域。近年来
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域。近年来随着军工设备更新换代、民品产业绿色节能等需要,MOSFET器件的优势愈发明显,市场占有量显著增加。分析了MOSFET的结构特征和电学特性,重点研究了提高MOSFET击穿电压的方法,在同样衬底电阻率的情况下实现了功率MOSFET高压的电参数,解决了MOSFET在保证低导通电阻的情况下如何实现高电压的问题。该结构成功应用于MOSFET产品的设计、
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