【摘 要】
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以磁控溅射制备W原子数分数为2.1%～53.1%的Cu-W薄膜,用EDX、XRD、TEM、SEM、显微硬度计和四探针电阻仪对薄膜成分、结构和性能进行表征,研究薄膜中W含量的变化对薄膜结构及性
【机 构】
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云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明理工大学材料科学与工程学院
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以磁控溅射制备W原子数分数为2.1%～53.1%的Cu-W薄膜,用EDX、XRD、TEM、SEM、显微硬度计和四探针电阻仪对薄膜成分、结构和性能进行表征,研究薄膜中W含量的变化对薄膜结构及性能的影响.结果表明,Cu-W薄膜呈纳米晶结构,含x=2.1%～16.2%W的Cu-W膜中存在W在Cu中的铜基fcc Cu（W）非平衡亚稳过饱和固溶体,Cu-36.0%W膜中存在fcc铜基和bcc钨基双相固溶体,含x=48.7%～53.1%W的Cu-W膜则存在Cu在W中的钨基bcc W（Cu）亚稳过饱和固溶体.具两相结构
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