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,Al0.30Ga0.70N/GaN/Al0.07Ga0.93N Double Heterostructure High Electron Mobility Transistors with a Re
【作 者】
：
【机 构】
：
Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian Unive
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2015年11期
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