【摘 要】
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文中采用热解氮化硼(pBN)坩埚生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体,并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为45mm×110mm,(111)衬底晶片面积最大
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件国防科技创新实验室
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文中采用热解氮化硼(pBN)坩埚生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体,并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为45mm×110mm,(111)衬底晶片面积最大可达40mm×30mm,测试分析结果显示:Everson腐蚀坑密度小于2×104cm-2,且分布均匀,无网络状分布结构,与石英熏碳坩埚相比,结构质量有了明显提高;第二相夹杂物尺寸小于2μm,密度为0~1×103cm-3;(111)B晶片的X-ray反射貌相图显示,晶体的结构均匀,完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体,而且更为重要的是,上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复,这说明了单晶具有良好的均匀性,有利于生长均匀的碲镉汞外延层。
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