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在UMT-2微摩擦试验机上，对单晶硅片进行了干摩擦和水润滑两种状态下的摩擦磨损试验，分析讨论了载荷和滑动速度对单晶硅片的摩擦因数和磨损率的影响规律；运用扫描电子显微镜，观察和分析了其磨损表面形貌。结果表明：干摩擦条件下的磨损机理主要表现为黏着磨损，水润滑条件下的磨损机理主要表现为机械控制化学作用下的原予／分子去除过程；水润滑条件下的摩擦N数和磨损量均较小，最小磨损率仅为10μm^3／s；在水润滑条件下，栽荷和滑动速度达到一定值时，硅片表面将发生摩擦化学反应，生成具有润滑作用的Si（OH）。膜，即机械作用在