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用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50 keV,不同注入剂量的N+2注入Si的折射率谱.计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果进行了初步地讨论.
N2^＋注入Si的折射率谱和弛豫时间
【摘 要】
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用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50 keV,不同注入剂量的N+2注入Si的折射率谱.计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果进行了初步地讨论.
【机 构】
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辽宁大学物理系
【出 处】
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辽宁大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2002年1期
【基金项目】
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辽宁省教育厅资助项目，辽宁大学校科研和教改项目
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