影响InN材料带隙的几个关键问题

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【摘要】

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确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素，以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收

【作者】

：

董少光李炳乾

【机构】

：

佛山科学技术学院光电子与物理学系

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2009年15期

【关键词】

：

InN材料带隙 Moss-Burstein效应深能级化学计量 InN materials band gap Moss-Burstein effect

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确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素，以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0．7eV；探讨了InN材料带隙与温度的函数关系，并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N：In化学计量比等，得出在不同质量样品和不同生长条件下，3种因素均影响InN材料的带隙值，但所起的作用却不尽相

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