按比例缩小SiGe HBT能量传输模型

来源 :中国科学技术大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：my_zq

【摘要】

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针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较

【作者】

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李垚刘嵘侃傅湘宁徐婉静

【机构】

：

中国科学技术大学物理系,模拟集成电路国家重点实验室

【出处】

：

中国科学技术大学学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

硅锗异质结双极晶体管能量传输模型电子温度 SiGe HBT energy transport model electron temperature

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针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.

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