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单片微波集成电路(MMIC)在当今电子业的巨大推动下得到迅速的发展,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立,并进一步关系到产品的成本、周期和监测等问题.传统的MMIC去嵌入方法是基于等效电路模型进行网络参数剥离,随着新的化合物材料的应用使器件的工作频率不断提高,这时传统方法会带来很大误差.本文引入了SOLT校准方法利用误差网络来实现去嵌入,并给出测试方法的步骤,流片试验结果分别同三维全波电磁场仿真比较,证明本文的校准方法更具准确性和实用性.