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采用射频磁控溅射技术和后期退火在蓝宝石衬底上成功制备了β-Ga2O3薄膜。借助于X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、以及二次离子质谱(SIMS)研究了缺陷对β-Ga2O3薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明,未退火的Ga2O3薄膜呈现非晶态,随高温退火时间逐渐增加,非晶Ga2O3薄膜逐步转变为沿(-201)方向择优生长的β-Ga2O3薄膜。所有Ga2O3薄膜在近紫外到可见光区的平均透过率都高达95%,β相Ga2O3薄膜的光学带隙比非晶态薄膜增加~0.3 eV,且随