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先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅，用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为12的溶液中进行电化学预腐蚀，具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响；然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀，去除多晶硅表面的疏松结构，得到高性能的多晶硅绒面。使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌。实验结果表明，当电流密度为30 mA/cm2、腐蚀时间为300 s时，多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构；预腐蚀后多晶硅片在HF和H2O2体积比为41的化学腐蚀溶液中，在室温超声腐蚀60 s后，腐蚀