【摘 要】
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通过热蒸发法，使用Ga2O3粉末作为前驱材料分别在无催化剂Si（111）基底和镀金Si（111）基底上制备出Ga2O3纳米结构．利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）以及高分
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通过热蒸发法，使用Ga2O3粉末作为前驱材料分别在无催化剂Si（111）基底和镀金Si（111）基底上制备出Ga2O3纳米结构．利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）以及高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品的表面形貌进行表征．结果显示，生成的纳米结构为β—Ga2O3单晶，催化剂及制备时间对样品的形貌有显著的影响．最后我们研究了不同条件下Ga2O3的生长机理．不使用催化剂所生长的β—Ga2O3为VL生长机制，使用Au作为催化剂所生长的Ga2O3为VLS生长机制．
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