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通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI—MOSFET二维阈值电压模型。根据模型计算结果，研究了衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对器件闽值电压的影响，通过与MEDICI数值模拟结果的比较表明，该模型能预计不同衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对阈值电压的影响，正确反映器件的短沟效应和背栅效应。