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利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In0.758Ga0.242As0.83P0.17与In0.758Ga0.242As0.525P0.475四元合金应变界面的导带不连续性.