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夏普日前在全球首次成功地使采用MBE(分子束外延)法工艺技术的GaN类蓝紫色半导体激光器产生振荡(图1)。以往只有使用MOCVD(有机金属化学气相成长)法制作的同类激光器产生过振荡。MBE法指的是在原子或分子水平上向底板照射Ga、Al或N等元素来形成结晶的技术。与蓝紫色半导体
采用MBE法夏普首次实现蓝紫色激光器
【摘 要】
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夏普日前在全球首次成功地使采用MBE(分子束外延)法工艺技术的GaN类蓝紫色半导体激光器产生振荡(图1)。以往只有使用MOCVD(有机金属化学气相成长)法制作的同类激光器产生过振
【出 处】
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光盘技术
【发表日期】
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2004年1期
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