纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:mqs129977
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提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极—衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。
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