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本文利用计算机程序简单模拟了圆盘状加热器和圆筒状加热器的热场分布,研究了热场对雾化裂解CVD法生长的半导体薄膜厚度均匀性的影响,并采用雾化裂解CVD技术制备了高度c轴取向的ZnO薄膜.实验结果表明利用圆筒形加热器及对衬底位置的控制可以在较小的加热器内获得相对尺寸大、厚度均匀性较好ZnO薄膜.
热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响
【摘 要】
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本文利用计算机程序简单模拟了圆盘状加热器和圆筒状加热器的热场分布,研究了热场对雾化裂解CVD法生长的半导体薄膜厚度均匀性的影响,并采用雾化裂解CVD技术制备了高度c轴取
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2003年4期
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