兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

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【摘要】

：

在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩

【作者】

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刘奎伟韩郑生钱鹤陈则瑞于洋饶竞时仙文

【机构】

：

中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,首钢日电电子有限公司

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年07期

【关键词】

：

高压CMOS 0.5μm 兼容工艺模拟

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在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CMOS器件 ,从而实现高、低压 CMOS器件的集成 .此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 .

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