【摘 要】
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介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工
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介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围:外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω.cm;栅氧厚度为52 nm;P阱注入剂量为3×313cm-2,推阱时间65 min。将流片结果与仿真结果进行了比较。
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