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研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤，发现在中栅压应力（Vg≈Vd/2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表面出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth)下，多特性的退化规律便会表现出来。同时，应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变。这使预测SOI器件的寿命变得非常困难。