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从理论与实验两方面研究了横场激发技术对声学超晶格LiNbO(LN)晶体谐振特性的影响，两者之间得到了很好的吻合。采用提拉法，制得了沿Z轴生长的具有周期性铁电畴结构的LN单晶，将此晶体先Z切，再X切成样品，经过适当的处理后，在X面镀上电极，采用HP8510C网络分析仪测得的样品的横场激发谐振频率为502MHz，与理论计算的谐振频率500MHz基本一致。这种“横场激发”利用了LN的最大机电耦合系数，而且采用特殊的生长技术，可消除声光器件的声阻抗不匹配问题。此技术可望在新型声光器件方面得到应用。