氧化锆——碳化硅复合材料氧化过程的研究

来源 :山西师大学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cyydn
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在空气中,800℃到1630℃温度范围内,对氧化锆——碳化硅复合材料进行氧化实验,结果表明,复合材料的SiC氧化是属于保护型氧化,试样从800℃起开始氧化;1100℃时氧化反应加快;1450℃以后材料表面形成致密的SiO2保护层;1627℃时,SiO2保护层受到破坏,从而加剧了SiC的氧化。
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