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本文用真空蒸发法制备了CIS太阳能电池中做缓冲材料的ZnSe薄膜，利用X射线光电子能谱（XPS）对制备薄膜的表面化学状态及沉积质量进行了研究，并用氩离子溅射进行剥蚀，逐层分析薄膜的化合态随深度的变化关系。XPS分析表明，ZnSe薄膜含有Zn、Se、O、C等元素，其中O、C为样品置于空气中所致，含量随剥蚀深度的加大而逐渐降低。Zn的光电子峰为Zn2p1／2和Zn2p3／2,Zn2p3，2的电子结合能为1021．90eV，对应着zn“的化合态，表明薄膜中Zn以形式电荷为Zn^2＋的化合态形式存在；Se的光电子