【摘 要】
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采用KBH4还原K3VO4的方法合成出了VO2粉体，并利用刮涂法制备了VO2涂层。研究了涂层发射率随温度的变化规律，发现在VO2相变点68℃附近涂层发射率突变，突变量可达0．1。利用红外热像
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采用KBH4还原K3VO4的方法合成出了VO2粉体，并利用刮涂法制备了VO2涂层。研究了涂层发射率随温度的变化规律，发现在VO2相变点68℃附近涂层发射率突变，突变量可达0．1。利用红外热像仪分析了涂层的红外热图，结果表明，VO2涂层在相变前后具有主动控制自身辐射强度的特性。基于这些特性，对VO2涂层在自适应伪装中的应用进行了研究，结果表明VO2材料可以用来实现红外动态隐身。
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