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根据Ｌｅｗｉｓ和Ｗｈｉｔｍａｎ的薄膜理论，对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷水解反应过程中的平均传质系数ｋ°ｃｍ的计算提出了一种新的方法，并讨论了用八田数Ｈα对ｋ°ｃｍ修正的条件。
用薄膜理论确定Si_3N_4陶瓷水解反应过程中的平均传质系数k°_cm
【摘 要】
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根据Ｌｅｗｉｓ和Ｗｈｉｔｍａｎ的薄膜理论，对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷水解反应过程中的平均传质系数ｋ°ｃｍ的计算提出了一种新的方法，并讨论了用八田数Ｈα对ｋ°ｃｍ修正的条件。
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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机械科学与技术
【发表日期】
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1999年6期
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