【摘 要】
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MSM（金属-半导体-金属）型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛，可用于空间通信、遥感等多方面，但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素．为此，本文研制了100×
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,中国科学院大学
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MSM（金属-半导体-金属）型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛，可用于空间通信、遥感等多方面，但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素．为此，本文研制了100×100μm。面积的InGaAs-MSM光电探测器，通过设计InAlGaAs／InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构，将器件暗电流密度降至0．6pA／μm。（5V偏置），改善了目前同类器件的信噪比．对器件光电参数进行了表征：3dB带宽6．8GHz，上升沿58．8ps，1550nm波段响应度0．55A／W，光
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