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一、可见光半导体激光器的提出随着对半导体激光器应用研究的不断深入，要求其波长向长波和短波两方扩展．于是人们着手研究光通信光源用的InGaAsP系长波长半导体激光器和光信息处理光源用的可见光半导体激光器。在可见光半导体激光器问世以前，光信息处理，光印刷，视频唱片等的光源均采用波长为632．8nm的He-Ne气体激光器。随着红外光半导体激光器的发展，逐渐提出了用可见光半导体激光器取代可见光He-Ne气体激光器的要求，因为前者比后者具有无可比拟的优点，例如体积小，工作电压低，适于高速率调制工作，有利于集成化等。