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采用数值模拟和理论分析方法，研究了圆波导内置n-Si探测结构对X波段几种常用电磁波模式的电场响应。首先基于强电场下的热载流子效应，设计了一种利用n-Si进行高功率脉冲实时测量的圆波导探测结构。接着采用三维并行电磁场时域有限差分方法，模拟研究并分析了TE11（两种极化方向）、TM01和TE01模式作用下圆波导探测结构内的横向电场分布特点。结果表明：不同模式下探测芯片内的横向电场均以径向电场为主，径向和角向电场幅度比约为10，而芯片在圆波导内引入的横向电场驻波比均不大于1．3。最后推导了圆波导探测结构在不同模