【摘 要】
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电荷转移模型是解释分子间单重态激子裂变过程的一个重要理论机制,然而对此模型的合理性仍然存在争论,对模型中涉及的电子转移过程也缺乏研究.本实验以具有激子裂变特性的红荧烯分子为研究对象,通过双源共蒸发的方法制备了4个系列红荧烯掺杂的混合薄膜,并在室温下分别测量了混合薄膜的光致发光谱及其瞬态衰减曲线.理论上,基于"S_1+S_0?1~(TT)_i?T_1+T_1"三状态反应模型,采用耦合的速率方程组对所
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电荷转移模型是解释分子间单重态激子裂变过程的一个重要理论机制,然而对此模型的合理性仍然存在争论,对模型中涉及的电子转移过程也缺乏研究.本实验以具有激子裂变特性的红荧烯分子为研究对象,通过双源共蒸发的方法制备了4个系列红荧烯掺杂的混合薄膜,并在室温下分别测量了混合薄膜的光致发光谱及其瞬态衰减曲线.理论上,基于"S_1+S_0?1~(TT)_i?T_1+T_1"三状态反应模型,采用耦合的速率方程组对所有的发光衰减曲线进行了拟合,得到了激子裂变过程中所涉及的重要速率常数.根据每种材料的摩尔质量与摩尔体积,
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基于结构型分裂可行问题的分离性结构,考虑用交替方向法来求解结构型分裂可行问题.并且给出算法的收敛性说明.提出的新算法不需要在每次迭代过程中计算向集合C的投影,并且可以将高维度的问题转化为低维度的问题.另外初步的数值实验结果表明用此方法是可行且高效的,尤其在时间方面大大的提高了计算效率.
Symm积分方程在位势理论中具有重要应用,它是Hadamard意义下的不适定问题.本文在Symm积分方程离散化的基础上,提出了求解Symm积分方程的RRGMRES方法,给出了数值模拟,并与相关文献中所提方法进行了分析比较,结果表明本文提出的方法在求解Symm积分方程时具有计算精度高和抗干扰强的优点.
本文研究了扩展Selberg类中?函数的唯一性问题.首先,证明了?函数完全由它的a值点的集合除去一个可能的例外集唯一确定,其中a≠1为常数.其次,研究了涉及有理函数的?函数的唯一性问题.
函数型数据回归是一个非常有意义的课题.已有工作都是利用平方损失来衡量误差,而本文采用ε-不敏感损失来衡量误差.本文构造基于ε-不敏感损失的逼近元,给出表示形式及其系数计算.逼近元具有鲁棒性和稀疏性等性质.本文的主要结果是,在一些常规条件下建立预测误差收敛阶.与关于平方损失工作相比,我们不要求协方差算子与积分算子之间的"对齐"关系.此外,本文还讨论了支持向量回归函数本身的逼近性质.即使对有限维数据,
设X={X(t)∈R~d,t∈R~N}是一个零均值的时空各向异性的Gauss随机场,ρ和τ分别是在R~N和R~d上引进的两个各向异性的时空度量.在某些一般条件下,本文通过τ下的Hausdorff测度和容度,分别给出了X碰撞概率的上、下界.同时,在ρ、τ和Euclid度量下,本文分别得到了又的像集、图集、逆像集和水平集的Hausdorff维数和填充维数.这些结果包含和推广了现有的仅在时间上各向异性的
采用相场方法对黏性-表面张力作用下液膜破裂孔洞扩张行为进行了数值模拟,分析了液膜收缩过程中的界面模态和边缘运动速度以及黏性效应产生的机制和影响.结果表明,液膜在收缩过程中,当黏性效应较明显时,液膜的厚度随着远离边缘隆起部位而单调衰减(模态I);反之,在隆起部位前方会出现颈缩区(模态II).颈缩部位的厚度(在前期)随着收缩时间增大而线性减小.虽然进一步降低黏性,相关的液膜参数演化趋近于无黏状态.但即
磁砸箍是现代等离子体研究领域中的一个重要模型,本文研究磁砸箍的初边值问题,利用一些精细的全局先验估计,证明具有轴对称初值的磁砸箍模型全局强解的存在性.这些初值可以充分大并且包含真空.
分数阶傅里叶变换是分析光学谐振腔的有力工具,分数阶数和像散系数的选取决定了谐振腔的尺寸,影响激光光束的偏振、远场发射角和可聚焦功率等.本文以部分相干电磁高斯-谢尔模型光束为研究对象,根据柯林斯公式推导出电磁高斯-谢尔模型光束通过含像散透镜分数傅里叶变换系统的偏振度、椭圆方位角和椭圆度的表达式,数值仿真分析了通过像散分数傅里叶变换系统输出面上的偏振度、椭圆方位角和椭圆度分布情况.仿真结果表明,光束通
本文通过介绍外加电场改变Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3/Nb-SrTiO_3结器件偏压势垒及电致改变器件超导与铁磁性能的实验来说明,电致触发引起改变器件材料本征性质的原因是材料中载流子发生了变化.以此引入并探讨电子注入以及形成自束缚电子驱动机制.因为零电压下被改变的材料本征性质仍然得以保留,则被注入的电子应该仍然停留在器件材料内部.从能带论的角度出发,停留在器件材料内部的被注入电子应该