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英飞凌推出一种创新型H-PSOF封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。通过推出H—PSOF封装技术．英飞凌可提供漏极电流高达300A，导通电阻低至0．76mQ的40V功率MOSFET。
英飞凌推出具有里程碑意义的H—PSOF封装技术
【摘 要】
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英飞凌推出一种创新型H-PSOF封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。通过推出H—PSOF封装技术．英飞凌可提供漏极电
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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2012年3期
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