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Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar-PAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。
SiE726DF：30V单片功率MOSFET/肖特基二极管
【摘 要】
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Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2008年11期
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