【摘 要】
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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途，但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和14
【机 构】
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上海交通大学电子信息与电气工程学院,上海广电电子股份有限公司平板显示技术研究开发中心
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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途，但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜，用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34，反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V，击穿场强分别为128MV／m和175MV／m，在50MV／m场强下，ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10
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