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以在增殖培养基上生长3~4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材,研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明,在黑暗诱导生根阶段,20℃效果最好;其次为25℃和30℃,35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长,25℃和35℃次之,20℃根的生长速度最慢。