【摘 要】
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利用密度泛函理论和广义梯度近似的超软赝势方法,计算了含有髙组分In的InGaN材料的晶格常数、形成能和能带结构.结果表明：晶格常数随着Ga掺杂浓度的增加而减小;当Ga原子替代掺
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,北京大学物理学院
【出 处】
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内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
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利用密度泛函理论和广义梯度近似的超软赝势方法,计算了含有髙组分In的InGaN材料的晶格常数、形成能和能带结构.结果表明：晶格常数随着Ga掺杂浓度的增加而减小;当Ga原子替代掺杂In原子时有最低的形成能,结构最稳定;在替代体系中,随着Ga原子的浓度增加,InGaN材料的带隙值也在增加.计算结果与其他理论计算及实验结果相符.
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