SiGe HBT器件的可靠性技术

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【摘要】

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介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点，对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论，进而分析了影响其可靠性的各种可能N素，总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法，并进行了比

【作者】

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林晓玲孔学东姚若河恩云飞章晓文

【机构】

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华南理工大学物理科学与技术学院,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室、信息产业部电子第五研究所

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

SIGE 异质结双极晶体管加速寿命试验可靠性 REID热载流子效应 SiGe Heteroiunction bipolar transistor Acce

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介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点，对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论，进而分析了影响其可靠性的各种可能N素，总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法，并进行了比较。

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